近年来，随着人工智能、5G、物联网等技术迅速发展，对于高性能、低功耗、集成化、小型化的后摩尔时代信息材料与器件的新需求日益迫切，如何解决半导体薄膜材料功能拓展与性能突破难题具有重要的科学意义和应用价值。

电子科技大学巫江教授围绕后摩尔时代信息技术中智能感知的国家重大战略需求，聚焦新型半导体光电薄膜功能材料，长期致力于化合物半导体薄膜材料和光电器件研究。特别是回国后，巫江教授积极服务国家高水平科技自立自强和四川经济社会高质量发展。积极加强区域建设与合作，促成了多项优势互补、互利双赢的科技创新合作项目，先后与成都光明光电股份有限公司和中国测试技术研究院联合培养博士后3名，开展光学材料和光电测试技术研发；与中国工程物理研究院微系统与太赫兹中心通过集中科研项目合作开发先进光电传感器；与昆明技术物理所联合研发先进光电探测器。通过产学研合作获得成都市“蓉漂人才”计划创新项目资助开展科技成果转化，多项成果服务于中电科十所上市公司天奥电子股份、中国兵器工业集团211所重点实验室、攀钢集团有限公司、上市公司北京富吉瑞科技全资子公司西安英孚瑞科技有限公司、车载信息服务产业应用联盟（并获该联盟年度先进个人）、成都市住建局绿色建筑监督服务站等产品或项目中，创造了良好的社会效益与经济效益。作为团队负责人组建并获批先进光电子四川省青年科技创新研究团队，领导团队获得中国发明协会发明创业创新奖一等奖、第十八届“挑战杯”全国大学生课外学术科技作品竞赛“揭榜挂帅”专项赛特等奖、中国国际“互联网+”大学生创新创业大赛国赛银奖 2 项、省赛金奖 2 项、省赛银奖 2 项以及省赛铜奖 1 项，“挑战杯”大学生创新创业大赛省赛银奖 2 项。先后主持了国家重点研发计划、JKW JCJQ等项目，在Nature Photonics、Nature Electronics等国际高水平期刊发表论文200余篇，入选国家海外高层次人才、英国工程技术学会会士、英国高等教育学会会士等。主要科技成就包括：

一、发展了低缺陷密度的硅基Ⅲ-V异质外延生长技术。独创外延固溶强化等外延生长技术，实现了异质界面位错密度大幅减低，突破了晶格大失配异质外延生长的技术瓶颈，研制出硅基高性能激光器和红外探测器，奠定了硅基Ⅲ-V化合物材料异质集成的重要实验基础。相关工作发表在《自然光子学》等期刊，实现了国际上首个硅基O波段连续电泵浦InAs量子点激光器，相关成果被IEEE 光子协会作为“研究亮点”报道，被Photonics Spectra称为与ASML极紫外光源并列的激光技术“里程碑”工作之一，被惠普高级副总裁Beausolei博士等国际同行评价为硅基Ⅲ-V异质集成领域“首创”工作，引领和推动了硅基异质集成关键技术发展。

二、破解了高性能半导体光电器件共性关键技术。发明了级联耦合腔面发射激光器、亚单层量子点级联探测器等多种新型结构器件，据此研制出了高性能光电器件，调制带宽、工作温度、光谱线宽等性能显著提升，相关成果服务多个国家重要任务需求。成果发表在《自然光子学》（主页推荐论文，获川渝科技学术大会优秀论文一等奖）、《自然光子学》等期刊，《ScienceDaily》指出成果“开辟了创新性解决方案”，三星显示副总裁李昌熙院士引用相关论文并指出 “不断取得技术进步”。研究成果为中电10所芯片原子钟、量子磁力计相关产品自主可控程度和核心性能提供了重要支撑；支撑车载信息服务产业应用联盟在联合国粮农组织、国际电信联盟基于人工智能和物联网的数字农业焦点组等国际组织的工作开展，并获联盟先进个人。